Опубликовано: 30 июля 2025 г.
Оптимизация оптики многослойных Ge-Sb-Te: ГК «НТ‑МДТ» на конференции по аморфным полупроводникам
ГК «НТ‑МДТ» приняла участие в XIV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» в Алферовском университете (Санкт‑Петербург, 30 июня – 3 июля 2025 года). Специалисты компании представили доклад по оптимизации спектральных зависимостей отражения и пропускания многослойных структур на основе Ge‑Sb‑Te и провели практические исследования образцов участников на СЗМ Ntegra Prima.
В рамках научной программы был представлен доклад «Оптимизация спектральных зависимостей коэффициентов отражения и пропускания от степени кристалличности для многослойных структур на основе материалов системы Ge‑Sb‑Te». Работа посвящена исследованию оптических свойств многослойных структур на основе халькогенидных материалов и подбору условий, позволяющих управлять отражательной и пропускательной способностью в зависимости от степени кристалличности слоев.
Особое внимание было уделено практическим аспектам применения таких структур в перспективных приборах, где критически важны точный контроль фазового состояния материалов и воспроизводимость оптических характеристик. Обсуждались подходы к оптимизации архитектуры многослойных систем и особенностям их исследования с использованием современного измерительного оборудования.
Во время конференции специалисты ГК «НТ‑МДТ» провели серию измерений образцов участников на сканирующем зондовом микроскопе Ntegra Prima (Нова СПб, Россия).
Мероприятие собрало ведущих исследователей, занимающихся проблемами материаловедения, технологий и применения аморфных и микрокристаллических полупроводников. В ходе докладов и дискуссий участники обменялись актуальными результатами, обсудили тенденции развития области и возможные направления кооперации.
Организаторами конференции выступили Физико‑технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Академический университет им. Ж. И. Алферова, Национальный исследовательский университет МИЭТ и Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена.