NTEGRA SNOM
Сканирующий ближнепольный оптический микроскоп (СБОМ), предназначенный для исследований оптических свойств с разрешением выше дифракционного предела.

ОБЩАЯ ИНФОРМАЦИЯ
СБОМ дает возможность изучать оптические свойства образца: отражение, пропускание, рассеяние с пространственным разрешением до 50 нм.
Разрешение NTEGRA SNOM, определяемое размером апертуры оптического зонда (отверстия в металлическом покрытии на острие оптоволокна, проводящего лазерное излучение) значительно превосходит ограниченное дифракционным пределом разрешение обычного оптического микроскопа. Разрешение при изучении оптических свойств — 50 нм.
- Параллельный анализ отраженных и проходящих фотонов
- Высокое разрешение при работе с флуоресцентно-окрашенными объектами
- Возможность использования иммерсионных высокоапертурных объективов
БАЗОВАЯ КОНФИГУРАЦИЯ
SNOM с оптоволоконной головкой
- Сканирование зондом (возможно сканирование образцом): гибкое конфигурирование для плазмоники;
- Кварцевый резонатор удерживающий оптоволоконный зонд обеспечивает обратную связь в «shear force» режиме обеспечивая стабильное позиционирование оптоволоконного зонда в единицах нанометров над поверхностью образца;
- Кварцевый резонатор позволяет работать без оптического дефлектора что дает возможность использовать оптоволоконный SNOM в очень широком оптическом диапазоне от DUV до IR без опасности интерферирования с лазером дефлектора;
- SNOM режимы: Отражение, Сбор, Пропускание.

SNOM на апертурных кантилеверах:
- Кантилеверные SNOM зонды воспроизводимы, надежны и имеют длительный срок службы;
- Пропускная способность зонда SNOM выше, чем у волоконного зонда SNOM (для того же размера апертуры).
- Лазерный АСМ дефлектор позволяет использовать все виды обратной связи: контактный, полуконтактный, бесконтактный;
- Автоматическое выравнивание (лазер-апертура);
- Режимы SNOM: Отражение, Сбор, Пропускание.

NTEGRA SNOM для оптических микроустройств

(а) Экспериментальная установка. (б) СЭМ-изображение и (в) shear-force топография фазовой пластины. Фазовая пластина имеет восемь зон с глубиной травления около 300 нм. (d), (e) Расчетное распределение напряженности электрического поля падающего и проходящего света в плоскостях XZ и XY. (f), (g) Экспериментальное распределение интенсивности электрического поля (детектируемого SNOM) после прохождения через фазовую пластину в плоскостях, расположенных на высоте 10 нм и 750 нм от поверхности пластины. Данные из: R.G. Mote, S.F. Yu, A. Kumar, W. Zhou, X.F. Li, APPLIED PHYSICS B 102: 95–100 (2011).
NTEGRA SNOM изучение микрофокусирующих плазмонных устройств:
Изучается фокусирование с помощью плазмонного устройства на основе пленки золота с помощью NTEGRA SNOM. Экспериментальные данные показывают значительную согласованность с моделированием.


(а) СЭМ-изображение устройства. (б) Распределение напряженности электрического поля проходящего света через плазмонное устройство (смоделировано). Прошедшее излучение регистрируется с помощью NTEGRA SNOM. Распределение интенсивности проходящего света в горизонтальных плоскостях с расстояниями (c) z = 0,5 мкм, (d) z = 1,6 мкм, (e) z = 2,5 мкм и (f) z = 3,5 мкм от поверхности устройства; (g) Распределение интенсивности вдоль сечения в (d). Данные Dr. Fenghuan Hao, Dr. Rui Wang and Dr. Jia Wang , OPTICS EXPRESS Vol. 18, No. 3, 15741- 15746 (2010).
NTEGRA SNOM для фотонных кристаллов
Апертурный СБОМ в режиме «сбора» используется для определения топографии и распределения поля на поверхности фотонного кристалла. Распространение света в однолинейном фотонном кристалле (PhC), из ниобата лития толщиной 450 нм. Топография SNOM (a) и оптические изображения ближнего поля (b), записанные над поверхностью PhC. Волновые векторы Блоха могут быть получены из ближнепольных оптических изображений. Данные: R. Geiss, S. Diziain, N. Janunts, APPLIED PHYSICS LETTERS 97, 131109 (2010).

NTEGRA SNOM анализ оптических мод в фотонном кристалле:

Фотонный кристалл получают путем травления сотовой решетки в пластине InP с использованием электронно-лучевой литографии и ионного травления. Оптическая микроскопия ближнего поля используется для визуализации эванесцентной моды с пространственным разрешением ниже дифракционного предела.
(а) Топография hsear-force режим (2 × 2 мкм). (б) Оптическое изображение ближнего поля при 1611 нм (2 × 2 мкм), кружки указывают положения сот 2D-фотонного кристалла. Наблюдаются монополярные моды в каждой элементарной ячейке, имеющие внутренний и внешний радиусы 70 нм и 310 нм соответственно. (c) Модуляция напряженности электрического поля на поверхности фотонного кристалла (2 × 2 мкм).
Данные от: Thanh-Phong Vo, Adel Rahmani, Ali Belarouci, Christian Seassal, Dusan Nedeljkovic and Ségolène Callard, OPTICS EXPRESS Vol. 18, No. 3, 15741- 15746 (2010).
NTEGRA SNOM управление плазмонами в золотом волноводе

Распространение поверхностных плазмон-поляритонов (SPP) в волноводе SPP исследовано с использованием SNOM, оснащенного гетеродинным интерферометром. Измерены как интенсивность, так и распределение фаз электромагнитного поля СПП.
(а) Топография волновода. (б) Амплитуда электромагнитного поля, полученная зондом SNOM. (в) Фаза электромагнитного поля. Используется лазер с возбуждением 785 нм.
Данные: Antonello Nesci and Olivier J.F. Martin
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Сканирующая ближнепольная микроскопия | |||
Поперечно-Силовая Микроскопия/ Метод отражения, пропускания, люминесцентный (дополнительно)/ некоторые АСМ методы возможны по выбору | |||
Технические характеристики | |||
Лазерный модуль | Длина волны* | 441, 488, 514, 532, 633 нм | |
Система ввода излучения |
X-Y-Z позиционер, позиционирование с точностью 1 мкм | ||
Держатель волокна с V-канавкой | |||
40X объектив ввода | |||
Поперечно-силовая | |||
Размер образца | До 100 мм в диаметре, до 15 мм в высоту |
||
XY позиционирование образца | 5×5 мм | ||
Позиционирование с точностью | разрешение — 5 мкм минимальное перемещение — 2 мкм |
||
Сканирование с замкнутой петлей обратной связи |
Емкостные датчики по X, Y, Z | ||
Сканирование образцом | Сканирование зондом | ||
Область сканирования | 100x100x25 мкм | 100x100x7 мкм | |
Нелинейность, XY | 0.03 % (типично) | <0.15 % | |
Уровень шума, Z | <0.2 нм (типично) | 0.04 нм (типично), 0.06 нм |
|
Уровень шума, XY | <0.5 нм (типично) | 0.2 nm (типично), 0.3 нм |
|
Рабочая частота кварцевого резонатора | 190 кГц | ||
Диаметр оптического волокна | 90 мкм (для 480-550 нм), 125 мкм (для 600-680 нм) | ||
Апертура | < 100 нм | ||
Каналы для совместной регистрации | метод Отражения | ||
метод Пропускания/Флуоресценции | |||
ФЭУ (для любого канала) |
Спектральная чувствительность | 185-850 нм | |
Чувствительность 420 нм | 3×1010 В/Вт | ||
Преобразующий усилитель Ток-Напряжение (встроенный) |
1×106 В/A | ||
Частотная ширина полосы | 20 кГц | ||
Высоковольтный источник питания | встроенный | ||
Виброизоляция | Активная | 0.7-1000 Гц | |
Пассивная | выше 1 кГц |