NTEGRA SNOM

NTEGRA SNOM

Сканирующий ближнепольный оптический микроскоп (СБОМ), предназначенный для исследований оптических свойств с разрешением выше дифракционного предела.

ОБЩАЯ ИНФОРМАЦИЯ

СБОМ дает возможность изучать оптические свойства образца: отражение, пропускание, рассеяние с пространственным разрешением до 50 нм.

Разрешение NTEGRA SNOM, определяемое размером апертуры оптического зонда (отверстия в металлическом покрытии на острие оптоволокна, проводящего лазерное излучение) значительно превосходит ограниченное дифракционным пределом разрешение обычного оптического микроскопа.  Разрешение при изучении оптических свойств — 50 нм.

  • Параллельный анализ отраженных и проходящих фотонов
  • Высокое разрешение при работе с флуоресцентно-окрашенными объектами
  • Возможность использования иммерсионных высокоапертурных объективов


БАЗОВАЯ КОНФИГУРАЦИЯ

SNOM с оптоволоконной головкой

  • Сканирование зондом (возможно сканирование образцом): гибкое конфигурирование для плазмоники;
  • Кварцевый резонатор удерживающий оптоволоконный зонд обеспечивает обратную связь в «shear force» режиме обеспечивая стабильное позиционирование оптоволоконного зонда в единицах нанометров над поверхностью образца;
  • Кварцевый резонатор позволяет работать без оптического дефлектора что дает возможность использовать оптоволоконный SNOM в очень широком оптическом диапазоне от DUV до IR без опасности интерферирования с лазером дефлектора;
  • SNOM режимы: Отражение, Сбор, Пропускание.

SNOM на апертурных кантилеверах:

  • Кантилеверные SNOM зонды воспроизводимы, надежны и имеют длительный срок службы;
  • Пропускная способность зонда SNOM выше, чем у волоконного зонда SNOM (для того же размера апертуры).
  • Лазерный АСМ дефлектор позволяет использовать все виды обратной связи: контактный, полуконтактный, бесконтактный;
  • Автоматическое выравнивание (лазер-апертура);
  • Режимы SNOM: Отражение, Сбор, Пропускание.

NTEGRA SNOM для оптических микроустройств

(а) Экспериментальная установка. (б) СЭМ-изображение и (в) shear-force топография фазовой пластины. Фазовая пластина имеет восемь зон с глубиной травления около 300 нм. (d), (e) Расчетное распределение напряженности электрического поля падающего и проходящего света в плоскостях XZ и XY. (f), (g) Экспериментальное распределение интенсивности электрического поля (детектируемого SNOM) после прохождения через фазовую пластину в плоскостях, расположенных на высоте 10 нм и 750 нм от поверхности пластины. Данные из: R.G. Mote, S.F. Yu, A. Kumar, W. Zhou, X.F. Li, APPLIED PHYSICS B 102: 95–100 (2011).


NTEGRA SNOM изучение микрофокусирующих плазмонных устройств:

Изучается фокусирование с помощью плазмонного устройства на основе пленки золота с помощью NTEGRA SNOM. Экспериментальные данные показывают значительную согласованность с моделированием.

(а) СЭМ-изображение устройства. (б) Распределение напряженности электрического поля проходящего света через плазмонное устройство (смоделировано). Прошедшее излучение регистрируется с помощью NTEGRA SNOM. Распределение интенсивности проходящего света в горизонтальных плоскостях с расстояниями (c) z = 0,5 мкм, (d) z = 1,6 мкм, (e) z = 2,5 мкм и (f) z = 3,5 мкм от поверхности устройства; (g) Распределение интенсивности вдоль сечения в (d). Данные Dr. Fenghuan Hao, Dr. Rui Wang and Dr. Jia Wang , OPTICS EXPRESS Vol. 18, No. 3, 15741- 15746 (2010).


NTEGRA SNOM для фотонных кристаллов

Апертурный СБОМ в режиме «сбора» используется для определения топографии и распределения поля на поверхности фотонного кристалла. Распространение света в однолинейном фотонном кристалле (PhC), из ниобата лития толщиной 450 нм. Топография SNOM (a) и оптические изображения ближнего поля (b), записанные над поверхностью PhC. Волновые векторы Блоха могут быть получены из ближнепольных оптических изображений. Данные: R. Geiss, S. Diziain, N. Janunts, APPLIED PHYSICS LETTERS 97, 131109 (2010).


NTEGRA SNOM анализ оптических мод в фотонном кристалле:

Фотонный кристалл получают путем травления сотовой решетки в пластине InP с использованием электронно-лучевой литографии и ионного травления. Оптическая микроскопия ближнего поля используется для визуализации эванесцентной моды с пространственным разрешением ниже дифракционного предела.

(а) Топография hsear-force режим (2 × 2 мкм). (б) Оптическое изображение ближнего поля при 1611 нм (2 × 2 мкм), кружки указывают положения сот 2D-фотонного кристалла. Наблюдаются монополярные моды в каждой элементарной ячейке, имеющие внутренний и внешний радиусы 70 нм и 310 нм соответственно. (c) Модуляция напряженности электрического поля на поверхности фотонного кристалла (2 × 2 мкм).

Данные от: Thanh-Phong Vo, Adel Rahmani, Ali Belarouci, Christian Seassal, Dusan Nedeljkovic and Ségolène Callard, OPTICS EXPRESS Vol. 18, No. 3, 15741- 15746 (2010).


NTEGRA SNOM управление плазмонами в золотом волноводе

Распространение поверхностных плазмон-поляритонов (SPP) в волноводе SPP исследовано с использованием SNOM, оснащенного гетеродинным интерферометром. Измерены как интенсивность, так и распределение фаз электромагнитного поля СПП.

(а) Топография волновода. (б) Амплитуда электромагнитного поля, полученная зондом SNOM. (в) Фаза электромагнитного поля. Используется лазер с возбуждением 785 нм.

Данные: Antonello Nesci and Olivier J.F. Martin


ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Сканирующая ближнепольная микроскопия
Поперечно-Силовая Микроскопия/ Метод отражения, пропускания, люминесцентный (дополнительно)/ некоторые АСМ методы возможны по выбору
Технические характеристики
Лазерный модуль Длина волны* 441, 488, 514, 532, 633 нм
Система  ввода
излучения
X-Y-Z позиционер, позиционирование с точностью 1 мкм
Держатель волокна с V-канавкой
40X объектив ввода
Поперечно-силовая
Размер образца До 100 мм в диаметре,
до 15 мм в высоту
XY позиционирование образца 5×5 мм
Позиционирование с точностью разрешение — 5 мкм
минимальное перемещение — 2 мкм
Сканирование с замкнутой петлей
обратной связи
Емкостные датчики по X, Y, Z
Сканирование образцом Сканирование зондом
Область сканирования 100x100x25 мкм 100x100x7 мкм
Нелинейность, XY 0.03 % (типично) <0.15 %
Уровень шума, Z <0.2 нм (типично) 0.04 нм (типично),
0.06 нм
Уровень шума, XY <0.5 нм (типично) 0.2 nm (типично),
0.3 нм
Рабочая частота кварцевого резонатора 190 кГц
Диаметр оптического волокна 90 мкм (для 480-550 нм), 125 мкм (для 600-680 нм)
Апертура < 100 нм
Каналы для совместной регистрации метод Отражения
метод Пропускания/Флуоресценции
ФЭУ
(для любого канала)
Спектральная чувствительность 185-850 нм
Чувствительность 420 нм 3×1010 В/Вт
Преобразующий усилитель
Ток-Напряжение (встроенный)
1×10В/A
Частотная ширина полосы 20 кГц
Высоковольтный источник питания встроенный
Виброизоляция Активная  0.7-1000 Гц
Пассивная выше 1 кГц


ЗАДАЙТЕ ВОПРОС ЭКСПЕРТУ: