Силовая микроскопия пьезоотклика

Силовая микроскопия пьезоотклика (Piezoelectric Force Microscopy – PFM) позволяет проводить исследования доменной структуры сегнетоэлектриков.

Данный метод особо интересен для прикладных исследований при разработках запоминающих сред накопителей ферроэлектрических запоминающих устройств (ЗУ) и методов записи-считывания данных на них.

Методика основана на использовании обратного пьезоэлектрического эффекта, который заключается в смещении поверхности исследуемого образца под действием локального электрического поля. Такое смещение и является регистрирующим сигналом. Оно будет зависеть от величины и взаимной ориентации направления электрического поля и вектора поляризации в образце.

Для вертикально ориентированных доменов смещение кантилевера будет нормальным по отношению к поверхности (отклонение вверх или вниз), а для горизонтально ориентированных доменов будет происходить латеральное смещение (скручивание кантилевера).

Метод силовой микроскопии пьезоотклика реализуется посредством подачи на зонд или образец электрического смещения и регистрации смещения поверхности образца. Помимо изображения рельефа исследуемого объекта, данная методика позволяет получить распределение амплитуд нормальных и латеральных колебаний, а также фаз нормальных и латеральных колебаний.