ГК «НТ-МДТ» представила доклад «Оптимизация спектральных зависимостей коэффициентов отражения и пропускания от степени кристалличности для многослойных структур на основе материалов системы Ge-Sb-Te» на XIV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», которая состоялась с 30 июня ─ 03 июля 2025 года в Алферовском университете в Санкт-Петербурге.
В ходе конференции обменялись актуальной информацией о проблемах материаловедения, технологий и применения аморфных и микрокристаллических полупроводников.
Организаторами мероприятия выступили Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Академический университет им. Ж. И. Алферова, Национальный исследовательский университет МИЭТ и РГПУ им. А.И. Герцена.
